安捷倫科技公司日前宣布為旗下業(yè)界領(lǐng)先的器件建模和表征軟件2014版推出了幾項(xiàng)創(chuàng)新功能。這一套件包括安捷倫EEsof EDA的集成電路表征和分析程序（IC-CAP）、模型構(gòu)建程序（MBP）和模型質(zhì)量保證程序（MQA）。

安捷倫器件建模策劃部經(jīng)理 Brian Chen 表示：“在過(guò)去幾年里，安捷倫依托內(nèi)部開(kāi)發(fā)和收購(gòu)重要技術(shù)雙重舉措，穩(wěn)步擴(kuò)展了器件建模平臺(tái)。這不僅標(biāo)志著我們?nèi)鬃钚陆鉀Q方案的首發(fā)成功，也意味著我們的未來(lái)愿景取得了重大進(jìn)步——成為提供從端對(duì)端、測(cè)量到建模全方位解決方案的卓越供應(yīng)商。”

先進(jìn)建模能力

最新的軟件版本具有三大先進(jìn)器件建模套件，適用于安捷倫DynaFET、BSIM6和BSIM-CMG模型建模。BSIM6是行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的體硅MOSFET模型，相比之前的BSIM4模型，其在模擬/射頻應(yīng)用方面有顯著改進(jìn)；BSIM-CMG是針對(duì)sub 20nm（20nm以下）三維FinFET技術(shù)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)模型。2014版本中的BSIM6和 BSIM-CMG建模解決方案有助于半導(dǎo)體從業(yè)者了解和使用這些最新技術(shù)。

DynaFET建模套件基于內(nèi)部開(kāi)發(fā)的技術(shù)，是安捷倫GaN HEMT表征、建模和仿真解決方案的重要組成部分。GaN HEMT建模套件基于圖形用戶(hù)界面（GUI），提供DynaFET模型生成解決方案。時(shí)域DynaFET模型采用人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)獲取電荷和電流公式，并考慮了俘獲/釋放（trapping/de-trapping）和自熱效應(yīng)，能夠精確地同步擬合直流、線(xiàn)性和大信號(hào)測(cè)量數(shù)據(jù)。因此，DynaFET模型能夠使用單個(gè)模型文件完成不同偏置條件下的不同應(yīng)用設(shè)計(jì)，并可確保精確的仿真結(jié)果。

其他增強(qiáng)特性

2014版器件建模和表征軟件還具有許多新增特性，能夠顯著提高器件表征、模型生成和模型驗(yàn)證等端對(duì)端流程的工作效率。這些增強(qiáng)特性包括：

●新增編程編輯器；

●使用專(zhuān)業(yè)仿真器加快仿真速度；

●擴(kuò)展的失配模型和統(tǒng)計(jì)模型解決方案；

●改進(jìn)的、靈活的用戶(hù)界面，用于創(chuàng)建、管理、監(jiān)測(cè)和調(diào)試測(cè)量測(cè)試計(jì)劃。