目前全球最先進(jìn)的積體電路(IC)量產(chǎn)技術(shù)為14納米，不過國家實(shí)驗(yàn)研究院已著手研究5納米的IC，并透過材料和結(jié)構(gòu)上的創(chuàng)新，成功研發(fā)出比現(xiàn)行更省電、運(yùn)算速度更快的IC，且獲選國際電子元件會(huì)議的焦點(diǎn)論文，最快5年后有機(jī)會(huì)正式導(dǎo)入產(chǎn)業(yè)界量產(chǎn)。

國研院納米元件實(shí)驗(yàn)室今天發(fā)表，兩項(xiàng)獲得全球頂尖電子元件國際會(huì)議焦點(diǎn)論文的新技術(shù)，包含“納米級(jí)菱形鍺高速通道技術(shù)”及“原子級(jí)二硫化鉬二維通道技術(shù)”。

研究員陳旻政表示，產(chǎn)業(yè)界不斷追求電晶體微小化，其目的在于縮短電流傳輸?shù)臅r(shí)間，以達(dá)到快速運(yùn)算且節(jié)能的功效。而實(shí)驗(yàn)室歷經(jīng)半年以上的時(shí)間，成功透過納米級(jí)蝕刻技術(shù)，在數(shù)10納米大的鍺通道內(nèi)，雕出“菱形”結(jié)構(gòu)，將電流通道拓展為4個(gè)面向，可使傳輸速度比現(xiàn)行的高出1倍。

此外納米元件實(shí)驗(yàn)室也創(chuàng)世界之先，將厚度僅4納米的二維二硫化鉬與現(xiàn)今主流的鰭式電體結(jié)構(gòu)整合，并搭配“雙閘極”設(shè)計(jì)，減少漏電情形，用電量可比現(xiàn)行的IC節(jié)省一半。

陳旻政說，目前IC大廠已有技術(shù)將IC從14納米逐漸縮減為5納米，而這兩項(xiàng)技術(shù)若要被采行、量產(chǎn)，最快可能要等到5年后，不過這兩項(xiàng)技術(shù)為10至15年后的元件電路設(shè)計(jì)開創(chuàng)出新方案，因此備受科學(xué)界矚目。