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銅銦鎵硒薄膜太陽能電池技術分析

   2016-03-15 中國節(jié)能網(wǎng)3620
核心提示:銅銦鎵硒(CIGS):一種低成本高效率光伏技術采用CIGS吸收層的光伏模組可以高效的將光能直接轉換為電能。在光伏技術領域具有重要的地位,目前小

銅銦鎵硒(CIGS):一種低成本高效率光伏技術

采用CIGS吸收層的光伏模組可以高效的將光能直接轉換為電能。在光伏技術領域具有重要的地位,目前小面積電池的研發(fā)效率世界紀錄達到21.7%,組件效率達到16.5%?;谀壳靶‰姵氐难芯窟M展,未來小組件的效率可達到21%,全面積組件有望達到18%的效率。低成本CIGS光伏模組可以使度電成本低于€0.05/kWh,并為降低CO2排放量做出重要貢獻。

產(chǎn)品和技術展望

CIGS模組產(chǎn)品和設計的多樣性為未來光伏能源的發(fā)展提供了多種可能。CIGS玻璃-玻璃產(chǎn)品可應用于光伏電站、屋頂、建筑表面。目前,柔性輕質(zhì)CIGS模組的產(chǎn)品平均開口效率已超過16%,隨著此類產(chǎn)品達到更高的效率,將開啟新的規(guī)?;瘧煤褪袌?。

從長期發(fā)展來看,以CIGS作為底電池,與合適的寬帶隙吸收層材料結合,形成疊層電池,可使太陽能電池效率超過30%。由此可見,CIGS電池不僅是一種高競爭力的光伏技術,它還具有進一步開發(fā)利用的潛力。

CIGS模組的主要優(yōu)勢:高發(fā)電量和優(yōu)異的戶外性能

因CIGS模組具有較低溫度系數(shù)、良好的光譜響應以及較好的弱光性能,使其具有較高的發(fā)電性量,因此在大多數(shù)的氣候條件下具有較低的度電成本(LCoE)。此外,薄膜組件設計基于集成的內(nèi)聯(lián)技術,可以從本質(zhì)上降低其對陰影的敏感性。低溫度系數(shù)、高的陰影遮擋容忍度、較好的弱光性能,也是BIPV應用中的關鍵需求。

可持續(xù)發(fā)展:能耗低、能量償還時間短、材料消耗少

基于薄膜太陽能電池的本質(zhì)特性-較短的能量償還時間和最少的高純度材料的應用-薄膜太陽能電池的發(fā)電成本可低于傳統(tǒng)能源方式。若計算碳足跡,薄膜太陽能電池具有顯著的優(yōu)勢,是一種真正的可持續(xù)發(fā)展能源。此外,在光伏組件達到壽命期后,其完整回收利用在技術上是完全可行的,未來可依據(jù)需求進行開發(fā)利用?;谝陨显?,CIGS技術在光伏規(guī)?;瘧梅矫媸且环N最具可持續(xù)性的解決方案。

可信賴的產(chǎn)品可靠性

基于剛性玻璃襯底的雙玻銅銦鎵硒組件,電池單元的電學互聯(lián)由激光劃刻形成一體化集成的串聯(lián)結構,較之傳統(tǒng)的串焊互聯(lián)

方式具有更卓越的可靠性?,F(xiàn)今,大生產(chǎn)銅銦鎵硒組件的可靠性已被大量的加速老化實驗及長時間的實地測試數(shù)據(jù)證實,并具有獨立測試機構的認證。

吉瓦級的規(guī)?;a(chǎn)能力

當前最大的銅銦鎵硒產(chǎn)能從百兆瓦到一吉瓦每年,存在于德國與日本。這些生產(chǎn)基地都以90%以上的產(chǎn)業(yè)價值鏈良率進行運營。目前全世界銅銦鎵硒的總產(chǎn)能達2GW/年。雖然銅銦鎵硒膜層的制備工藝在不同公司有所區(qū)別,但都表現(xiàn)出良好的產(chǎn)品性能。這表明銅銦鎵硒光伏組件制造業(yè)已達到第一階段的產(chǎn)業(yè)成熟度。即使使用了地殼稀缺元素銦,每年100GW的產(chǎn)能也不會對供應鏈造成挑戰(zhàn)。這是由于技術的進步減少了銦的用量及銦元素的回收。技術研發(fā)的持續(xù)進展,在未來十年會發(fā)掘銅銦鎵硒成本下降的更大潛力。

生產(chǎn)成本

今天銅銦鎵硒光伏組件的生產(chǎn)成本幾乎與晶硅太陽能組件相當,這還是在銅銦鎵硒的生產(chǎn)規(guī)模及累計產(chǎn)出比晶硅太陽能產(chǎn)業(yè)小數(shù)倍的情況下比較。從2008到2014年,銅銦鎵硒組件的全球出貨量為3GW。這表明銅銦鎵硒光伏產(chǎn)業(yè)處于產(chǎn)業(yè)認知曲線的起始端,如同平板顯示及玻璃鍍膜等相近似薄膜產(chǎn)業(yè)所經(jīng)歷的過程。大面積均勻鍍膜、加速的工藝流程與更強大的銅銦鎵硒鍍膜設備相結合使150MW產(chǎn)能的制造成本有潛力達到0.4美元每峰瓦。值得指出的是,銅銦鎵硒組件生產(chǎn)的設備投資包括從玻璃襯底輸入到成品組件輸出的完整的產(chǎn)業(yè)鏈?;阢~銦鎵硒組件今天已達到的成績,我們可以看到未來成本下降的巨大潛力。關鍵在于將實驗室的小面積高光電轉換效率轉移應用于大生產(chǎn)。下一階段成本持續(xù)下降的影響因素包括:組件效率的提升由14%到18%,規(guī)模效應帶動的材料成本(BOM)下降,研發(fā)帶動的成本下降(超薄吸收層,利用較低純度的原材料),設備投資的下降,下一代設備帶動的生產(chǎn)能力的改善(產(chǎn)能,良率及設備稼動率),生產(chǎn)能耗的降低及優(yōu)化的基礎設施。綜合所有成本下降的因素,在吉瓦(GW)級規(guī)模,銅銦鎵硒生產(chǎn)成本會實現(xiàn)25%至40%的進一步下降。

 
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