一、設(shè)備概況

晶體類型：多晶硅

摻雜物：為滿足一定的電阻率要求，加入硼與硅材料混合后實(shí)現(xiàn)目標(biāo)電阻率。

二、技術(shù)參數(shù)

電學(xué)特性

電阻率：0.8Ω.cm～3.0Ω.cm（平均1.5Ω.cm）

少數(shù)載流子壽命：>2 µs

導(dǎo)電類型：P型

化學(xué)特性

碳含量：<2×1018 cm-3

氧含量：<4×1017 cm-3

尺寸

硅片尺寸：156 mm×156 mm±0.5 mm

         125 mm×125 mm±0.5 mm

硅片厚度：200 µm±30 µm

偏差：≤50 µm

弓形：≤60 µm

線痕：≤20 µm

邊緣缺陷：無

其他

硅片表面：切面完整清潔。

污染物：無污垢，油污、皂液、粘合劑的殘留物、指紋等