JEDEC組織早在2011年底就完成了DDR4內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)制定工作,相關(guān)產(chǎn)品也早已大規(guī)模商用,更高頻率的產(chǎn)品也早已推出。但下一代內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)DDR5遲遲不見蹤影。

根據(jù)eetimes報(bào)道,海力士在國際固態(tài)會議上公布了首個DDR5內(nèi)存芯片的細(xì)節(jié)。同時三星也在此次會議上描闡釋了基于低功耗規(guī)范的LPDDR5的SDRAM的實(shí)現(xiàn)。
DDR5內(nèi)存提供了兩倍于DDR4內(nèi)存的帶寬,同時電壓更低,數(shù)據(jù)傳輸效率更高。作為制定DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的組織,原計(jì)劃于2018年底完成標(biāo)準(zhǔn)制定,但事實(shí)上這項(xiàng)工作依舊在進(jìn)行中,預(yù)計(jì)在今年年底有相關(guān)產(chǎn)品會出現(xiàn)。
此次會議中,在海力士發(fā)表的論文中,提到了其DDR5產(chǎn)品可以提供每針腳6.4Gb/s的速率,16Gb的容量,同時工作電壓為1.1v,低于現(xiàn)在的DDR4內(nèi)存,與LPDDR4相當(dāng)。制造工藝為1ynm,芯片面積為76.22平方毫米。
與此同時三星也公布了其10nm級別制造工藝額LPDDR5 SDRAM芯片,可提供7.5Gb/s的傳輸速率,工作電壓僅為1.05v。但更多的細(xì)節(jié)三星并沒有公布。
而在2019年2月19日,JEDEC公布了LPDDR5更新標(biāo)準(zhǔn),但依舊不是最終標(biāo)準(zhǔn)。根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)其可以提供比LPDDR4高50%的I/O速率,達(dá)到6400MT/s。同時由于更低的工作電壓,可以為智能手機(jī)、平板、筆記本電腦等便攜式設(shè)備提供更高的性能和更長的續(xù)航時間。
三星和海力士都證明將在今年四季度發(fā)布DDR5內(nèi)存產(chǎn)品。而Cadence和Micron也已在201810月份表示將在今年年底生產(chǎn)DDR5內(nèi)存。
初期DDR5內(nèi)存價格相較于DDR4內(nèi)存更貴,大規(guī)模上市依舊需要時日。









