此前金泰克正式公布了兩款嵌入式產(chǎn)品，用于移動設(shè)備的內(nèi)存芯片，LPDDR3-1866與LPDDR4-3200，兩款產(chǎn)品制程均為20納米。

從傳統(tǒng)LPDDR產(chǎn)品當(dāng)中來看，LPDDR3內(nèi)存芯片支持POP堆疊封裝和獨立封裝以滿足不同類型移動設(shè)備的需要，如Tablet/Pad、eBook以及Smart Phone等。除延續(xù)更早的LPDDR2芯片的能效特性和信號界面以外，還重點加入了Write-Leveling and CA Training(寫入均衡與指令地址調(diào)訓(xùn)以及 On Die Termination(片內(nèi)終結(jié)器/ODT)技術(shù)。
 

在之后金泰克全新20納米LPDDR4內(nèi)存，在性能和集成度上都比20納米級LPDDR3內(nèi)存提高一倍。更快速的RAM意味著應(yīng)用的啟動速度更快，這對于在執(zhí)行多任務(wù)時啟動重量級應(yīng)用至關(guān)重要。
 

由于輸入/輸出接口數(shù)據(jù)傳輸速度最高可達3200Mbps，是通常使用的DDR3 DRAM的兩倍，新推出的8Gb LPDDR4內(nèi)存可以支持超高清影像的拍攝和播放,并能持續(xù)拍攝2000萬像素的高清照片。
 

目前，大多數(shù)主流手機用的均為LPDDR4內(nèi)存，當(dāng)然還有一些CP值高的手機用的還是上一代LPDDR3內(nèi)存。與LPDDR3內(nèi)存芯片相比，LPDDR4的運行電壓降為1.1伏，堪稱適用于大屏幕智能手機和平板電腦、高性能網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)的低功耗存儲解決方案。以2GB內(nèi)存封裝為例，比起基于4Gb/8Gb LPDDR3芯片的2GB內(nèi)存封裝，基于8Gb LPDDR4芯片的2GB內(nèi)存封裝因運行電壓的降低和傳輸速度的提升，最大可節(jié)省40%的耗電量。